半导体测试仪

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半导体测试仪

价格：￥0.00

主极参数
1、主极电压： 100mV--2000V
2、电压分辨率：1mV
3、电压精度：1%+10mV
4、主极电流：100nA---50A加选件YB550向下可扩展到20pA，
加选件YB580-X向上可扩展到：500A，1000A，1250A。
5、电流分辨率：1nA 加选件YB550分辨率为1pA
6、电流精度：1%+10nA+20pA/V
控制极参数
1、控制极电压：100mV---20V加选件可扩展到80V
2、电压分辨率：1mV
3、电压精度：1%+10mV
4、控制极电流：100nA---10A 加选件可扩展到40A
5、电流分辨率：1nA 加选件YB550分辨率为1pA
6、电流精度：1%+10nA+20pA/V
测试速度：0.05S/参数
测试器件种类：
1)二极管（DIODE）
2)晶体管（ TRANSISTOR（NPN型/PNP型））
3)稳压（齐纳）二极管（ZENER ）
4)结型场效应管（ J-FET （N-沟/P-沟，耗尽型/增强型））
5)MOS场效应管（POWER MOSFET（N-沟/P-沟））
6)三端稳压器（REGULATOR（正电压/负电压，固定/可变））
7)光电耦合器（OPTO-COUPLER（NPN型/PNP型））
8)可控硅整流器（SCR ）
9)双向可控硅（TRIAC）
10)绝缘栅双极大功率晶体管（IGBT（NPN型/PNP型））
11)光电逻辑器件（OPTO-LOGIC）
12)双向触发二极管（DIAC）
13)固态过压保护器（SSOVP）
14)光电开关管（OPTO-SWITCH）
15)硅触发开关（STS）
16)继电器（RELAY）
17)金属氧化物压变电阻（MOV）
18)压变电阻（VARISTOR）
19)达林顿阵列（DARLINTON）

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